30 resultados para Brasil. [Lei 9.313, de 13 de novembro de 1996]

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利用能量为170MeV35Cl束流,通过157Gd(35Cl,4n)熔合蒸发反应研究了188Tl的高自旋态能级结构.依据实验结果建立了188Tl基于πh9/2(?)vi13/2组态的转动带.根据双奇Tl核能级结构的相似性,指定了188Tlπh9/2(?)vi13/2扁椭球转动带的自旋值.结果表明在188Tl,πh9/2(?)vi13/2扁椭球转动带在低自旋区具有旋称反转性质.利用包含了质子-中子剩余相互作用的准粒子-转子模型,定性地解释了πh9/2(?)vi13/2扁椭球转动带的低自旋区旋称反转现象.

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利用能量为 1 6 7— 1 75MeV35Cl束流 ,通过16 0 Gd(35Cl,5n)熔合蒸发反应研究了190 Tl的高自旋态能级结构 .实验建立了190 Tl基于πh9/2    νi13/2 组态的转动带 .在束测量结果和194 Biα衰变的α γ测量结果确定地指定了190 Tl的πh9/2    νi13/2 转动带的自旋值 .基于自旋指定 ,发现了190 Tl的πh9/2    νi13/2 扁椭球转动带在低自旋时旋称反转 .这是首次在基于πh9/2    νi13/2 组态的扁椭球转动带中观测到旋称反转 .考虑了质子 -中子剩余相互作用的粒子 -转子模型能够解释πh9/2    νi13/2 扁椭球转动带的低自旋旋称反转 .

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ont size="3"><img src="http://www.cstam.org.cn/Upfiles/200751581033.jpg" border="0" alt="" hspace="8" width="300" height="400" align="left" />《<em>理性力学基础em>》为《中国科学院研究生教学丛书》之一。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;《<em>理性力学基础em>》系统地介绍了理性力学的主要科学体系和基本理论。《<em>理性力学基础em>》由四部分,共十五章组成。第一部分综合介绍了理性力学的科学意义、方法和特点,从理性力学角度概括论述变形几何学与运动学、力学基本定律与场方程以及本构方程的一般原理。着重阐明张量和场方程的时空无差异原理,以及本构方程所应遵循的客观性原理。第二部分着重介绍简单物质的理论体系。作为典型范例进一步阐明弹性物质和简单流体的本构方程以及弹性体有限变形边值问题的分析方法。第三部分详细介绍黏弹性物质、弹塑性物质及晶体塑性的基本理论。第四部分主要介绍含缺陷物质的本构理论。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;《<em>理性力学基础em>》可作为力学、应用数学、理论物理等专业的研究生教材,也可供力学工作者及高等院校力学专业教师参考。ont>

le="line-height: 230%; margin-left: 6px; margin-right: 6px">ont size="5" style="font-size: 15px">rong>目录&nbsp;rong>ont>

le="line-height: 230%; margin-left: 6px; margin-right: 6px">ont style="font-size: 15px">第一章 绪论<br />1&middot;1 理性力学目的和意义<br />1&middot;2 理性力学的特点与体系<br />1&middot;3 理性力学的方法<br />1&middot;4 符号<br />第二章 变形几何学和运动学<br />2&middot;1 直角坐标系的张量<br />2&middot;2 物体的构形与运动<br />2&middot;3 变形梯度<br />2&middot;4 应变度量和面元、体元变形<br />2&middot;5 应变率<br />第三章 基本定律与场方程<br />3&middot;1 质量守恒定律<br />3&middot;2 应力原理与动量守恒定律<br />3&middot;3 能量守恒定律和熵定律<br />3&middot;4 功共轭与应力度量<br />3&middot;5 场方程<br />3&middot;6 随体坐标系<br />第四章 本构方程的一般原理<br />4&middot;1 时空系的变换<br />4&middot;2 基本定律的客观性<br />4&middot;3 本构方程的一般原理<br />第五章 简单物质<br />5&middot;1 张量函数<br />5&middot;2 张量函数表示定理<br />5&middot;3 简单物质的本构方程<br />5&middot;4 本构方程的简化形式<br />5&middot;5 各向同性物质<br />5&middot;6 简单固体<br />5&middot;7 简单流体和流晶<br />5&middot;8 内部约束<br />5&middot;9 特殊类型物质<br />5&middot;10 衰退记忆<br />第六章 弹性物质<br />6&middot;1 弹性物质的本构方程<br />6&middot;2 物质对称性<br />6&middot;3 各向同性弹性固体<br />6&middot;4 超弹性物质<br />6&middot;5 各向同性超弹性物质<br />6&middot;6 主轴表示<br />6&middot;7 储能函数表示式<br />6&middot;8 二次弹性<br />6&middot;9 均匀变形场<br />6&middot;10 储能函数的实验确定<br />第七章 弹性体有限变形边值问题<br />7&middot;1 边值问题的提法<br />7&middot;2 若干典型问题<br />7&middot;3 平面应变问题<br />7&middot;4 不可压缩各向同性弹性体<br />第八章 简单流体<br />8&middot;1 直线流动<br />8&middot;2 曲线流动<br />8&middot;3 伸长历史恒定运动<br />8&middot;4 定常测黏流动<br />8&middot;5 Poiseuille流动<br />8&middot;6 Couette流动<br />8&middot;7 圆锥-平板流动<br />8&middot;8 端部正应力效应<br />8&middot;9 Stokes流体测黏流动<br />8&middot;10 定常拉伸流动<br />第九章 黏弹性物质<br />9&middot;1 线性黏弹性理论<br />9&middot;2 非线性黏弹性固体<br />9&middot;3 本构泛函展开<br />9&middot;4 非线性黏弹性流体<br />第十章 弹塑性物质<br />10&middot;1 微小变形塑性理论<br />10&middot;2 张量的时间导数<br />10&middot;3 有限塑性变形的本构方程<br />10&middot;4 塑性大变形基本方程<br />10&middot;5 Drucker公设与有限塑性变形<br />第十一章 晶体塑性理论<br />11&middot;1 晶体塑性变形运动学<br />11&middot;2 硬化规律<br />11&middot;3 硬化系数表示式<br />11&middot;4 晶体塑性本构关系<br />11&middot;5 滑移剪切率&gamma;(&alpha;)的存在性与惟一性<br />11&middot;6 率相关流动规律<br />第十二章 缺陷连续统的线性理论<br />12&middot;1 张量场的微分运算<br />12&middot;2 协调条件<br />12&middot;3 缺陷的几何意义<br />12&middot;4 位错弹性理论<br />12&middot;5 位错塑性理论<br />12&middot;6 一般缺陷塑性理论<br />12&middot;7 晶体塑性位错理论<br />12&middot;8 Nye张量及缺陷塑性理论小结<br />12&middot;9 位错塑性理论二维公式及算例<br />第十三章 非黎曼几何及流形简介<br />13&middot;1 Euler空间张量场的绝对微分<br />13&middot;2 曲率张量<br />13&middot;3 线性空间<br />13&middot;4 仿射联络空间<br />13&middot;5 非完整变换<br />13&middot;6 拓扑空间<br />13&middot;7 微分流形<br />第十四章 缺陷连续统的非线性理论<br />14&middot;1Niemann物质流形的构造<br />14&middot;2 缺陷的几何意义<br />14&middot;3 缺陷连续统的弹性理论<br />14&middot;4 缺陷连续统的塑性理论<br />14&middot;5 晶体塑性位错理论<br />第十五章 理性力学若干应用<br />15&middot;1 有限变形的精确描述<br />15&middot;2 曲线坐标的相应公式<br />15&middot;3 本构方程的客观性原理<br />15&middot;4 物质对称性<br />15&middot;5 主轴法<br />15&middot;6 客观应力率<br />附录 曲线坐标<br />1 基向量与度量张量<br />2 逆变导数<br />3 应力张<br />4 运动方程ont>

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聚合物膜离子选择性电极具有选择性高、使用简便、价格低廉等优点,在环境监测中日益受到人们的关注。这类电极的响应特性主要取决于聚合物膜相中起分子识别作用的离子载体的选择性。本文设计合成了一系列对重金属离子具有高选择性的有机配体,并将其作为电中性离子载体应用于银、汞、锌、铬等离子选择性电极中,实现了对重金属离子的高选择性测定。此外,我们对海水中有机物质的紫外线消解进行了研究,优化了消解条件,采用离子选择性电极技术实现了对海水中重金属污染物的快速检测。具体内容如下: 1、以硫氮杂冠醚为离子载体的银离子选择性电极制备及性能研究。 合成了一系列硫氮杂冠醚配体,通过优化反应条件,提高了反应产率,简化了产物处理过程。将此类冠醚作为离子载体用于银离子选择性电极的制备,并讨论了冠醚环大小、冠醚环的韧性以及硫原子个数对电极选择性的影响。在此研究基础上,利用沉淀-溶解平衡法调节内充液主离子浓度,采用冠醚910,12,13,24,25-六氢-5H,15H,23H-二苯[b,q][1,7,10,1319,4,16]五硫二氮二十三环-616 (7H,17H)-二酮环作为低检出限银离子选择性电极载体,通过优化电极的内充液和聚合物膜组份,测得最低检出限为2.10-10 M,电极电位响应斜率为54.5 mV/dec.,线性范围为1.10-9-1.10-5 M,电极使用寿命为一个月。采用标准加入法,成功实现了自来水中银离子浓度的测试,并以该电极作为指示电极,以硝酸银溶液为滴定剂,成功滴定了I-、Br-和Cl-离子的混合液。 2、以1,2,4-三唑衍生物为离子载体的汞离子选择性电极的制备及性能表征。 设计合成了一种基于1,2,4-三唑的希夫碱结构化合物,3,5-二(二硫代甲酸苄酯肼基-2-亚甲胺基苯氧甲基)-1-(四氢-2H-吡喃)-1H-1,2,4-三唑,并成功用作中性载体实现对汞离子的测定。在最佳膜组分条件下,以该化合物作为载体的汞离子选择性电极的检出限为2.6×10-7 M Hg2+,电极电位响应斜率为29.3±0.3 mV/dec.,线性范围为1.10-6-3.10-4 M。该电极使用寿命为2个月,在pH 2.6-5.2范围内测试不受酸度影响。以该电极为指示电极,以EDTA为滴定剂,可准确滴定溶液中汞离子的浓度。 3、以希夫碱结构化合物为离子载体的锌离子选择性电极的制备及性能研究。 本文设计了一种含吡啶杂环的希夫碱结构化合物(E)-N'-(吡啶-2-亚甲胺基)-2-((E)-吡啶-2-亚甲胺基)苯甲酰肼,并成功用作离子载体实现对锌离子的测定。在最佳膜组分条件下,以该化合物为载体的锌离子选择性电极的检出限为7.10-7M Zn2+,电极电位响应斜率为25.9 mV/dec.,线性范围为1.10-6-1.10-3 M。该电极使用寿命为3个月,在pH 3.4-5.8范围内测试不受酸度影响。以该电极为指示电极,以EDTA为滴定剂,可准确滴定溶液中锌离子的浓度。 4、紫外光在线消解技术用于离子选择性电极测试海水中重金属离子的研究。 海水中重金属离子大多以络合物形式存在,而离子选择性电极只对游离态金属离子响应,因此要实现离子选择性电极测试海水中的重金属,首先必须使金属离子从络合物中游离出来。紫外光消解方法相对于其它海水预处理手段是一种清洁的样品预处理方法。我们以模拟海水为考察对象,考察了盐度、酸度、有机物浓度对消解效率的影响,并在优化消解条件的基础上对实际海水进行消解,利用离子选择性电极成功实现了海水中铜离子浓度的测试,测试值与ICP-MS数值一致。 5、合成希夫碱结构罗丹明B衍生物作为载体和分子探针用于Cr3+离子的检测。 设计合成了希夫碱结构罗丹明B衍生物2-亚甲胺基-8-乙酯基喹啉-罗丹明。荧光法显示,在化合物对铬离子(III)有较好的选择性,进而我们将该化合物作为分子探针进行了详细的研究。结果表明,分子探针与铬离子配位比为1:1,铬离子响应的线性范围是8.10-7-8.10-5 M,检测下限为1.9×10-7 M。电化学测试结果显示,基于该化合物为载体的离子选择性电极对铬离子(III)的选择性较差。

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该研究首次将复合垂直流人工湿地同池塘养殖结合,通过构建养殖-湿地生态系统,验证人工湿地对水产养殖用水和废水净化与回用的可行性。近9个月的新建人工湿地运行结果表明,水力负荷从313、469625 mm/d增加到781mm/d,人工湿地对TSS、CODC rBOD5去除率的变动范围分别为80.5%~82.9%、45.2%~64.2%和61.0%~77.0%,NH4+-NNO3--N、TN去除率的变动范围分别为51.5%~67.8%-、90.6%~40.0%和29.1%~68.6%,对TP和IP的去除率

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Self-organized InAs quantum wires (QWRs) were fabricated on the step edges of the GaAs (331)A surface by molecular beam epitaxy. The lateral size of InAs QWRs was saturated by the terrace width (i.e., 90 nm) while the size along the step lines increased with the increasing thicknesses of the InAs layers, up to 1100 nm. The height of InAs QWRs varied from 7.9 nm to 13 nm. The evolution of the morphology of InAs QWRs was attributed to the diffusion anisotropy of In adatoms.

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Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers are presented. The growth of the 4H-SiC homoepilayers was carried out in a LPCVD system. The size of the active area of the photodetector was 300 x 300 mu m(2). The dark and illuminated I-V characteristics were measured at reverse biases from 0 V to 30 V at room temperature. The illuminated current was at least two orders of magnitude higher than the dark current at a bias of below 12 V. The photoresponse was measured from 200 nm to 400 nm at different reverse biases and the peak values of the photo response were located at 3 10 nm. The calculated spectral detectivity D* was shown to be higher than 10(13) cmHz(1/2)/W from 260 to 360 nm with a peak value of 5.9 x 10(13) cmHz(1/2) /W at 310 nm. The peak value of the photoresponse was hundreds of times higher than the response at 400 nm, which showed the device had good visible blind performance. (c) 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

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Ca_4RO(BO_3)_3(R:稀土元素)是近年来发现的一类新型非线性光学材料。实验表明这类化合物也是某些稀土离子良好的发光基质材料。本文主要研究了以下内容;1以PbO, PbF_2及B_2O_3作为助熔剂,以Gd_2O_3, CaCO_3, H_3BO_3按化学计量比配料,用熔盐法生长出了GdCOB小单晶。所生长的单晶中有条纹,包裹,气泡,位错等缺陷。为了防止这些缺陷的产生,应有精密的控温系统,高纯度的原料,同时生长速率不能过快。2 固相反应合成了Ca_4GdO(BO_3)_3: Eu~(3+),Sm~(3+)多晶粉末,对它的激发光谱和荧光光谱进行了测试。结果表明,Ca_4GdO(BO_3)_3Eu~(3+) 611nm发射的良好基质;Gd~(3+)离子通过Gd~(3+)-Gd~(3+)能量传递,对Eu~(3+)离子的发光有敏化作用,而Sm~(3+)离子由于自猝灭而使Eu~(3+)离子发光减弱。3 固相反应合成了M_4LnO(BO_3)_3: Dy~(3+)(M=Ca, Sr, Ba;Ln=La, Gd, Y, Yb, Lu)多晶粉末。测试了Dy~(3+)的激发光谱和荧光光谱。发现Dy~(3+)的黄/蓝比随着Ca~(2+)→Sr~(2+)→Ba~(2+)而减小,同时,随着La~(3+)→Gd~(3+)→Yb~(3+)→Lu~(3+), Dy~(3+)离子的~4F_(9/2)→~6H_(13/2)跃迁产生的黄光发射强度依次增大,波长也向长波方向移动。4 固相反应合成了Ca_4YO(BO_3)_3:Tb~(3+), Ce~(3+)多晶粉末,该体系是Tb~(3+)离子绿光发射的良好基质。同时,Ce~(3+)离子没有发光现象,且存在Tb~(3+)→Ce~(3+)的能量传递,从而使Tb~(3+)离子的发光减弱,这在一般的体系中是比较少见的。

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在综合文献报导的基础上,我们选择了LnMsbO_6Ln_2M_2O_7 (M = Zr, Ti)做为研究体系,对其合成、组成、结构以及稀土离子在其中的发光性质进行了较为系统的研究。用氢氧化物共沉淀的方法,在等摩尔阳离子原料配比条件下,我们制备了LnMsbO_6Ln_2M_2O_7(M = Zr, Ti, Ln = La - Yb, Y除Ce和Pm)。根据对组成的分析结果并与文献对比,我们认为得到的化合物组成与给出的分子式是一致的。由热分析并结合x-ray衍射分析对LnZrsbO_6的形成反应进行了研究,其结果表明化合物的形成过程是一个较慢的固相反应过程。通过x-ray粉沫衍射物相分析并结合掺杂Eu~(3+)的发光光谱,我们确定了在不同条件下合成的LnMsbO_6Ln_2M_2O_7化合物的结构类型,并计算了所有化合物的晶胞参数。在对上述结构特性及其变化规律进行研究后,我们认为Ln_2M_2O_7结构变化规律与ΔZ/(d~2) (Z为阳离子电荷,d为阳离子与阴离距离)有关,随ΔZ/(d~2)值由小到大,Ln_2M_2O_7(M = Zr, Ti)先是形成具有荧石结构的阳离子无序固溶体,然后逐渐过渡到荧石结构的变型——有序的立方烧绿石结构,最后变型到单斜晶系结构。LnMsbO_6(M = Zr, Ti)低温相结构与Ln_2M_2O_7(M = Zr, Ti)是有联系的,即基本保持了其立方晶系结构。然后锑的加入使这种结构变得很不稳定,因此在高温灼烧下上述立方相将不可逆地变为更稳定的高温结构相。利用磁天平对LnMsbO_6Ln_2M_2O_7进行了室温条件下的磁学性质测量,其玻尔磁子数的实验值与Van Vleck理论值符合较好。由此也可说以说明化合物的组成与给出的分子式是一致的。用荧光光谱仪对Eu~(3+)在不同基质中做发光光谱,其结果表明Eu~(3+)在烧绿石结构的Ln_2M_2O_7中,Ln~(3+)是处于具有反演中心的D_(3d)格位,这时~5D_0 → ~7F_2的电体极跃迁(~610nm)是被禁阻的,因此Eu~(3+)主要的发光为~5D_0 → ~7F_1磁体极跃迁(~590nm),并劈裂为两条谱线。在其它不具有反演中心的格位中Eu~(3+)的~5D_0 → ~7F_2跃迁则是较强的。在La~(3+)有着多个较低对称性格位的La_2Ti_2O_7:Eu中,无论是Eu~(3+)的激发光谱,还是发射光谱,其~5D_0与~7F_0之间的跃迁谱线都不只一条,这与La~(3+)多对称性格位特性是一致的。在立方荧石结构的LnZrsbO_6:Eu中,用Eu~(3+)电荷迁移带激发的发光光谱与用其它激发带激发的很不相同,其~5D_1能级的跃迁谱线非常强,我们认为这可能是由于电荷迁移激发态,将大部分能量传递给3~5D_1能级的结果。另外,我们比较了在Ln_2Zr_2O_7和LnZrsbO_6Eu~(3+)的发光强度,发现前者要比后者强许多。在研究Bi~(3+)对Eu~(3+)的敏化作用时,我们发现在Y_2M_2O_7:Bi, Bu中Bi~(3+)对Eu~(3+)有较好的敏化作用,而在YMsbO_6:Bi, Eu中则没有。同时我们注意到对于Eu~(3+)取代六配位La~(3+)格位时,其电荷还移带位置和符合Hoefdraad认为是不变的规律,而是随着基质晶格的不同发生变化的。对Dy~(3+)在LnMsbO_6Ln_2M_2O_7基质中发光性质研究中,我们看到Dy~(3+)的发光主要为兰色的~4F_(9/2) → ~6H_(15/2)跃迁(~480nm)和黄色的~4F_(9/2) → ~6H_(13/2)跃迁(~580nm)。其黄光与兰光的强度比值(R)随基质晶格的不同可以有很大的变化。一般情况下R值总是要大小1,且不随湿度和Dy~(3+)掺杂浓度变化。同时我们比较了在Ln_2Zr_2O_7和LnZrsbO_6 (Ln = Y, Gd, La)基质体系中Dy~(3+)的发光强度,发现同Eu~(3+)类似前者较后者强许多。在论文中我们给出了在Y_2M_2O_7和YMsbO_6 (M = Zr, Ti)中Sm~(3+)的激发光谱与发射光谱,从中可以看到当Sm~(3+)在Y_2Ti_2O_7中取代占据D_(3d)格位的Y~(3+)时,其~4G_(5/2) → ~6H_(9/2) (~650nm)电体极跃迁是被禁阻的。同时还给出了在YZrsbO_6中H_0~(3+)和Er~(3+)的激发光谱与发射光谱。此外,我们研究了Eu~(3+)和Dy~(3+)在一些基质体系中发光强度随温度的变化规律。发现Y_2Zr_2O_7:Eu的临界猝来温度要比La_2Zr_2O_7:Eu的高,Ln_2Zr_2O_7:Dy (Ln = La, Y)的温度猝来曲线则大致相同,且随温度和猝来要比Ln_2Zr_2O_7:Eu缓慢,对于上述现象我们利用位形坐标给出了一定的解释。然而所有的样品发光强度从室温开始,随温度的升高都是单调下降的。

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车文对该属全部4个种筠偶蝽i口肢带形态、疆着器的超微结构作了系统观察和研究

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研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1 * 10~9 ~ 5 * 10~(13) cm~(-2)的变化。实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势,背场Si太阳电池性能参数I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化快,辐照注量为2 * 10~(10)cm~(-2)时,P_(max)就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8 * 10~(11)cm~(-2), 且其I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 * 10~(12)~(-2)时才迅速下降。背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与擀子辐照引入的E_v + 0.14eVE_v + 0.43eVE_c - 0.41eV深能级有关。

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养分再吸收是植物保存养分的重要机制之一,对植物的生长、竞争和适应性等产生重要影响。国外对养分再吸收的研究集中于比较不同生活型或不同立地条件对养分再吸收的影响,且多为静态研究,而通过动态研究能较全面的认识植物养分再吸收特征。马尾松是我国南方主要造林树种之一,国内对马尾松林养分循环的研究主要集中于养分分布和养分外循环,而对养分内循环的认识还十分有限。本文以马尾松为研究对象,分析了马尾松的养分动态和养分回特征,并在试验研究和文献资料检索的基础上对养分再吸收的机制进行了讨论,结果表明: 1)10年生马尾松不同器官N、P、K含量表现为:叶>果>根>枝;枝的P、K养分再吸收效率和叶无显著差异,但N的再吸收效率叶>枝,由于枝的养分含量占全树养分含量较大比重,因此营林过程中利用自然整枝将有利于提高林分养分利用效率;成熟叶N、P养分含量随针叶衰老逐渐下降,落叶前后比叶质量平均下降20.5%,物质回收突出,反映了马尾松养分利用效率高;养分再吸收效率生长期比较稳定,落叶期达到最大值;根系和土壤养分在8月均有一低谷,这可能与该时期马尾松生长旺盛,养分需求较多有关;养分再吸收效率与土壤、根系、叶片养分之间缺乏相关性,马尾松新叶生长获得养分的两条途径(养分回收和根系吸收)没有表现出此消彼涨的现象,这可能与根系养分含量变化较小,还不足以通过统计分析表现出来有关。 2)由于针叶凋落前存在物质回收,3个林龄(10、23、45龄)马尾松针叶凋落后的平均质量、长度和单位长度质量分别下降了15.9%、4.6%和13.9%;不同林龄马尾松单叶N、P、K平均50%以上被回收,养分再吸收效率和转移度均随林龄先增后减,与生长规律密切相关,这是因为23龄马尾松生长旺盛,养分需求比较多,导致养分再吸收效率和转移度比其它林组高;各林龄阶段P转移度都较高,可能与该地区土壤P缺乏有关。以单位质量养分含量和单位长度养分含量所计算的养分再吸收效率偏低,但不显著,因此,对于类似于马尾松的针叶树种,在研究养分再吸收效率时,可以应用易于操作的基于质量浓度的养分再吸收效率。 3)通过绿叶N/P所反映的N、P养分的相对限制性影响了植物对N、P的利用特征,并以马尾松和樟子松为例证实了这种关系的存在;常绿植物和落叶植物随N的限制性增强,N的再吸收效率、转移度、利用效率随之升高,反之亦然;常绿植物随P的限制越强,P的再吸收效率反而降低,反之亦然,这可能与常绿植物P含量低有关;常绿植物P的再吸收水平和利用效率与P的限制性没有关系;落叶植物随P限制性增强,P的再吸收水平和利用效率随之升高,反之亦然,但P的限制性与P的再吸收效率没有关系;N/P与N和P利用特征的关系对于指导适地适树有实际意义,在土壤N含量比较低的立地,选择N/P高的植物,将有利于提高N的养分利用效率,反之,在P含量比较低的立地,选择N/P高的植物将有利于提高P的利用效率。